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2SD836

更新时间: 2024-09-20 22:35:55
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 268K
描述
SI NPN EPITAXIAL PLANAR

2SD836 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.87最大集电极电流 (IC):2 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):35 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2SD836 数据手册

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