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2SD845R

更新时间： 2024-02-26 02:51:06

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无锡固电 - ISC		/
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3页	135K
描述
Transistor

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2SD845R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD845R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD845

DESCRIPTION

·With MT-200 package

·Complement to type 2SB755

·High transition frequency

·High breakdown voltage :V_CEO=150V(min)

APPLICATIONS

·For power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

UNIT

Open base

150

Open collector

I_B

Base current

1.2

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

120

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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