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2SD837

更新时间： 2024-09-23 07:31:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	106K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD837 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SD837 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD837

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min.)@I_C= 3A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Audio power amplifiers

·General purpose power amplifiers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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