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2SD850

更新时间： 2024-02-01 14:25:22

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SAVANTIC		晶体晶体管放大器局域网
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3页	109K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD850 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	135 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SD850 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD850

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

APPLICATIONS

·Line-operated horizontal deflection

output applications

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

1500

700

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

T_C=90ꢀ

ꢀ

T_j

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD855	PANASONIC	获取价格	SI NPN EPTAXIAL PLANAR
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