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2SD841

更新时间： 2024-09-23 06:26:43

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	98K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD841 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD841

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

·High speed switching

·High voltage:V_CBO=800V(Min)

APPLICATIONS

·High voltage switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-base voltage

800

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

400

Open collector

I_B

Base current

1.5

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_j

T_stg

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