2SD847

更新时间： 2024-01-18 22:32:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SD847 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

2SD847 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD847

DESCRIPTION

·Good Linearity of h_FE

·High Collector Current

·Wide Area of Safe Operation

·High Reliability

·Complement to Type 2SB757

APPLICATIONS

·Audio amplifier applications

·Series regulators applications

·General purpose power amplifiers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.56 ℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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