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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.46 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD850 | Wing Shing |
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Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) |
|
| 2SD850 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD850 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD851 | ETC |
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Low Speed High Current Switching Industrial Use |
|
| 2SD855 | PANASONIC |
获取价格 |
SI NPN EPTAXIAL PLANAR |
|
| 2SD855 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SD855A | PANASONIC |
获取价格 |
SI NPN EPTAXIAL PLANAR |
|
| 2SD855O | ISC |
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Transistor |
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| 2SD855P | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SD855Q | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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