2SD843

更新时间： 2024-02-09 18:42:43

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描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD843 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84

2SD843 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD843

DESCRIPTION

·High Collector Current:: I_C= 7A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 0.5V(Max)@I_C= 4A

·High Collector Power Dissipation

·Complement to Type 2SB753

APPLICATIONS

·High current switching applications

·Power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

P_C

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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