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2SD2296_15

更新时间： 2024-02-06 20:12:08

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2296_15 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD2296

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For color TV horizontal deflection

output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

1500

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Open base

800

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CP

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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