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2SD2300

更新时间： 2024-02-19 06:52:58

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	46K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2300 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.45
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD2300 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2300

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High breakdown voltage

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output deflection

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1500

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector surge current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_C(

surge

)

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD2306	ROHM	获取价格	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
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2SD2306T114K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2307	ROHM	获取价格	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
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2SD2308	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP
2SD2308A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP