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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2306T114K | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2307 | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SD2307T114 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SD2307T114K | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SD2308 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP |
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| 2SD2308A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP |
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| 2SD2308B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP |
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| 2SD2308C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP |
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| 2SD2308T105 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2308T105A | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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