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2SD2297

更新时间: 2024-01-26 19:25:16
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其他 - ETC 晶体晶体管功率双极晶体管
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2页 57K
描述
Power Bipolar Transistors

2SD2297 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.46
最大集电极电流 (IC):6 A配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD2297 数据手册

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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3