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2SD2300

更新时间： 2024-02-24 18:11:39

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2SD2300 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.45
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD2300

Silicon NPN Triple Diffused

Application

CTV horizontal deflection output

Features

•

High breakdown voltage

_CBO= 1500 V

Built-in damper diode type

Outline

TO-3PFM

1. Base

2. Collector

3. Emitter

I_D

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2301	ETC	获取价格	Power Bipolar Transistors
2SD2304	ROHM	获取价格	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
2SD2306	ROHM	获取价格	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SD2306T114	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2306T114K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2307	ROHM	获取价格	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
2SD2307T114	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2307T114K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2308	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP
2SD2308A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP