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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 18 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2122S | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2122S | TYSEMI |
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Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 180 V |
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| 2SD2122S | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2122S | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2122SB | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SD2122SB | RENESAS |
获取价格 |
1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2122SC | RENESAS |
获取价格 |
1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2123 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2123 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2123(L) | RENESAS |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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