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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 18 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2123 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2123 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD2123(L) | RENESAS |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2123(L) | HITACHI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2123(L)-(1)B | ETC |
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BJT |
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| 2SD2123(L)-(1)C | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SD2123(L)B | RENESAS |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2123(L)C | RENESAS |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2123(S) | RENESAS |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SD2123(S)-(1)B | ETC |
获取价格 |
BJT |
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