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2SD2123(L)B

更新时间: 2024-11-12 20:22:15
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 111K
描述
POWER TRANSISTOR, DPAK-3

2SD2123(L)B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.34Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSIP-T3
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):18 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

2SD2123(L)B 数据手册

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