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2SD2121SD

更新时间: 2024-11-21 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
5页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD2121SD 数据手册

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2SD2121(L)/(S)  
Silicon NPN Epitaxial  
Application  
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S)  
Outline  
DPAK  
4
4
1
2
1. Base  
3
2. Collector  
3. Emitter  
4. Collector  
S Type  
1
2
3
L Type  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
35  
35  
V
5
V
2.5  
A
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Note: 1. Value at TC = 25°C.  
IC(peak)  
PC*1  
Tj  
3
A
18  
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
–55 to +150  

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