生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.34 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 1.5 A | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 60 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 18 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD2122(L)-(1)B | ETC |
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BJT | |
2SD2122(L)-(1)C | ETC |
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BJT | |
2SD2122(L)/(S)|2SD2123(L)/(S) | ETC |
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||
2SD2122(L)B | RENESAS |
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POWER TRANSISTOR, DPAK-3 | |
2SD2122(L)C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA | |
2SD2122(S) | RENESAS |
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POWER TRANSISTOR, DPAK-3 | |
2SD2122(S)-(1)B | ETC |
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BJT | |
2SD2122(S)-(1)C | ETC |
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BJT | |
2SD2122(S)B | RENESAS |
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POWER TRANSISTOR, DPAK-3 | |
2SD2122(S)C | RENESAS |
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POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |