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2SD2098T100QR

更新时间: 2024-11-18 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管闪光灯
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD2098T100QR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.66外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SD2098T100QR 数据手册

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Transistors  
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)  
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)  
(IC / IB = 4A / 0.1A)  
2) Excellent DC current gain charac-  
teristics.  
3) Complements the  
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 /  
2SB1436.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
252  

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