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2SD1624U

更新时间： 2024-11-04 20:14:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 442K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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2SD1624U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：280JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SD1624U 数据手册

 浏览型号2SD1624U的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1624U的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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2SD1624  
Features  
NPN Epitaxial  
Planar Silicon  
Transistors  
·
·
·
·
Adoption of FBET, MBIT processes.  
Low collector-to-emitter saturation voltage.  
Fast switching speed.  
Large current capacity and wide ASO.  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
6.0  
3.0  
Unit  
V
V
V
A
SOT-89  
ICP  
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Current (Pulse)  
Collector dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
6.0  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
A
mW  
OC  
OC  
A
B
K
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
E
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
60  
50  
6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
D
G
H
J
(I =1.0mAdc)  
C
F
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =10uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
1.0  
1.0  
uAdc  
mAdc  
IEBO  
1
3
1. Emitter  
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
2. Collector  
3. Base  
DC Current Gain  
(I =100mAdc, VCE=2.0Vdc)  
C
100  
35  
---  
---  
560  
---  
---  
---  
hFE-2  
DC Current Gain  
(I =3.0Adc, VCE=2.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(SAT)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =2.0Adc, I =10mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
---  
---  
0.35  
0.19  
0.7  
0.5  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
C
B
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ꢀꢁꢂꢆ  
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ꢂꢂꢆ  
ꢄꢋꢌꢃꢅꢆ  
---  
---  
---  
0.94  
150  
25  
1.2  
---  
---  
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ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
(I =2.0Adc,IB=100mAdc)  
C
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ꢖꢆ  
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ꢀꢆ  
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ꢍꢕꢎꢗꢆ  
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ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
Gain-Bandwidth product  
(VCE=10V, IC=50mA )  
Out Capacitance  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
ꢆ
(VCB=10V, f=1.0MHz)  
Turn-on Time  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ton  
Tstg  
tf  
---  
---  
---  
70  
650  
35  
---  
---  
----  
ns  
ns  
ns  
I =1.0Adc  
I =IB2=0.1Adc  
B1  
C
Storage Time  
Fall Time  
 ꢆ  
hFE[1] CLASSIFICATION  
Rank  
R
S
T
U
Range  
100-200  
140-280  
200-400  
280-560  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2003/04/30  
123

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与2SD1624U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1624-U KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD1624-U-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3
2SD1624-X-AB3-R UTC

获取价格

 		HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATION
2SD1625 SANYO

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 		Driver Applications
2SD1626 SANYO

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 		For Various Drivers
2SD1627 SANYO

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 		Driver Applications
2SD1628 UTC

获取价格

 		HIGH-CURRENT SWITCHING APPLICATIONS
2SD1628 SANYO

获取价格

 		High-Current Switching Applications
2SD1628 KEXIN

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1628 ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP

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