5秒后页面跳转
2SD1626 PDF预览

2SD1626

更新时间: 2024-11-03 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 驱动
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
For Various Drivers

2SD1626 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.54外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):4000
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.5 W最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SD1626 数据手册

 浏览型号2SD1626的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1626的Datasheet PDF文件第3页 

与2SD1626相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1627 SANYO

获取价格

Driver Applications
2SD1628 UTC

获取价格

HIGH-CURRENT SWITCHING APPLICATIONS
2SD1628 SANYO

获取价格

High-Current Switching Applications
2SD1628 KEXIN

获取价格

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1628 ONSEMI

获取价格

Bipolar Transistor20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP
2SD1628 TYSEMI

获取价格

Low saturation voltage. High hFE. Large current capacity. small-sized hybrid ICs
2SD1628_15 UTC

获取价格

HIGH-CURRENT SWITCHING APPLICATIONS
2SD1628E ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
2SD1628F ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
2SD1628F-TD-E ONSEMI

获取价格

Bipolar Transistor20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP