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2SD1615-K

更新时间： 2022-02-26 11:23:27

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NPN Transistors

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2SD1615-K 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Transistors

2SD1615

■ Typical Characterisitics

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.

EMITTER CURRENT

OUTPUT CAPCITANCE vs.

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

100

1000

500

VEC = 2.0 V

IE = 0

f = 1.0 MH^Z

200

100

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

0.5

VCB – Collector to Base Voltage – V

IC – Collector Current – A

SWITCHING TIME vs.

COLLECTOR CURRENT

VCC = 10 V

I^C= 10 IBI = –10 IB2

VBE(off) = –2 to 3 V

PW = 2 µs

Duty Cycle ≤ 2 %

tstg

0.5

0.2

0.1

ton

0.05

0.01 0.02

0.05 0.1

0.2

0.5

I^C– Collector Current – A

www.kexin.com.cn

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