5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD106A | ETC |
获取价格 |
Ultra-compact dual SCALE driver for IGBTs with blocking voltages up to 1200V |
|
| 2SD106AI | ETC |
获取价格 |
2SD106AI Dual SCALE Driver Core for IGBTs and Power MOSFETs |
|
| 2SD1071 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE ULTRA HIGH TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER |
|
| 2SD1071 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER |
|
| 2SD1071_15 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER |
|
| 2SD1071G-TA3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER |
|
| 2SD1071L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2SD1072 | ETC |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON |
|
| 2SD1073 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1073 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
