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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5829
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2SC5829

更新时间： 2024-09-29 21:55:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
For High Speed Switching

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2SC5829 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.01 A
集电极-发射极最大电压：7 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4000 MHzBase Number Matches：1

2SC5829 数据手册

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Transistors  
2SC5829  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high speed switching  
Unit: mm  
■ Features  
3
2
1
• Allowing the small current and low voltage operation  
• High transition frequency fT  
• Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip-  
ment for Ultraminiature leadless package  
0.6 mm × 1.0 mm (height 0.39 mm)  
+0.01  
0.39  
1.00 0.0ꢀ  
−0.03  
0.2ꢀ 0.0ꢀ  
0.2ꢀ 0.0ꢀ  
1
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
2
3
0.6ꢀ 0.01  
0.0ꢀ 0.03  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
10  
7
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
2
V
Collector current  
IC  
PC  
Tj  
10  
50  
mA  
mW  
°C  
°C  
ML3-N2 Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Marking Symbol: X  
150  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
µA  
µA  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Transition frequency  
VCB = 10 V, IE = 0  
VEB = 1.5 V, IC = 0  
1
VCE = 1 V, IC = 1 mA  
100  
200  
fT  
VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 0.8 GHz  
VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz  
4
GHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
0.4  
(Common base, input open circuited)  
Forward transfer gain  
Maximum unilateral power gain  
Noise figure  
S21e2 VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 0.8 GHz  
6
dB  
dB  
dB  
GUM  
NF  
VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 0.8 GHz  
VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 0.8 GHz  
15  
3.5  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: December 2002  
SJC00287AED  
1
123

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