2SC5840

更新时间： 2024-02-27 09:30:21

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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2SC5840 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220D-A1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5840 数据手册

Power Transistors

2SC5840

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

Power supply for Audio & Visual equipments

such as TVs and VCRs

9.9 0.3

2.9 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

φ 3.2 0.1

■ Features

• High-speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV

guaranteed

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

2.54 0.30

5.08 0.50

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

TO-220D-A1 Package

Marking Symbol: C5840

Internal Connection

Collector current

I_C

I_CP

P_C

Peak collector current

T_C= 25°C

T_a= 25°C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CB= 80 V, I_E= 0

V_CE= 80 V, I_B= 0

V_CE= 4 V, I_C= 0.2 A

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

100

µA



I_CEO

h_FE1

h_FE2

280

0.7

h_FE3

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 0.375 A

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.1 A, f = 10 MHz

100

0.2

I_C= 1 A, Resistance loaded

I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

Storage time

0.9

µs

Fall time

0.15

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2002

SJD00297AED

12 3

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