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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.53 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 55 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC5832(TP) | ONSEMI | Transistor, |
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| 2SC5832(TP-FA) | ONSEMI | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,55V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252VAR |
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| 2SC5838 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5839 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5840 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5841 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5843 | RENESAS | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5843-T3 | RENESAS | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5843-T3-FB | RENESAS | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5845 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC584500L | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5846 | PANASONIC | For General Amplification |
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| 2SC5846G | PANASONIC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
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| 2SC5848 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5849 | RENESAS | Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier |
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| 2SC5849 | HITACHI | Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier |
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| 2SC5849WY-TR-E | RENESAS | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1.40 X 0.80 MM, 0.59 MM HEIGHT, MODIFIED SC |
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| 2SC5850 | RENESAS | Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC5850B | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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| 2SC5850C | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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