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2SC5826TV2R

更新时间： 2024-02-23 13:34:24

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罗姆 - ROHM		开关晶体管电视
页数	文件大小	规格书
4页	933K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3 PIN

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2SC5826TV2R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5826TV2R 数据手册

Power transistor (60V, 3A)

2SC5826

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) High speed switching.

(tf : Typ. : 30ns at IC = 3A)

2) Low saturation voltage, typically

ATV

(Typ. 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SA2073

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

Applications

Taping specifications

Low frequency amplifier

High speed switching

Symbol : C5826

Structure

NPN Silicon epitaxial planar transistor

Packaging specifications

Package

Taping

TV2

Code

Type

Basic ordering unit (pieces)

2500

2SC5826

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

∗

Pulsed

1.0

°C

Power dissipation

Junction temperature

150

stg

Range of storage temperature

−55 to 150

∗Pw=100ms

www.rohm.com

2011.03 - Rev.B

1/3

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SC5832(TP)	ONSEMI	Transistor,	获取价格