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2SC5774

更新时间： 2024-01-15 16:01:45
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三洋 - SANYO 输出应用
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
140V / 10A, AF70W Output Applications

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2SC5774 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：35
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：110 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

2SC5774 数据手册

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Ordering number : ENN6987A  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
140V / 10A, AF70W  
Output Applications  
2SA2062 / 2SC5774  
Features  
•
Large current capacitance.  
• Wide ASO and high durability against breakdown.  
• Adoption of MBIT process.  
Specifications Note*( ) : 2SA2062  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(-)160  
(-)140  
(-)6  
V
V
I
(-)10  
(-)20  
2.5  
A
C
Collector Current (Pulse)  
I
A
CP  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
110  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
-55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=(--)160V, I =0  
Unit  
min  
max  
I
V
V
V
V
V
V
V
(--)0.1  
(--)0.1  
160  
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
I
=(--)4V, I =0  
C
EBO  
h
h
(1)  
=(--)5V, I =(--)1A  
60  
35  
FE  
FE  
C
DC Current Gain  
(2)  
=(--)5V, I =(--)5A  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=(--)5V, I =(--)1A  
C
(10)15  
MHz  
pF  
V
Cob  
=(--)10V, f=1MHz  
(280)140  
Base-to-Emitter Voltage  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-to-Base Breakdown Voltage  
Turn-On Time  
V
=(--)5V, I =(--)5A  
1.5  
BE  
(sat)  
C
V
I
C
I
C
I
C
=(--)5A, I =(--)0.5A  
(--0.3)0.2  
(--)2.0  
V
CE  
B
V
V
V
=(--)5mA, I =0  
(--)160  
(--)140  
(--)6  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
E
=(--)50mA, R =∞  
BE  
V
I =(--)5mA, I =0  
V
E
C
t
See specified test circuit.  
See specified test circuit.  
See specified test circuit.  
(0.45)0.56  
(1.75)3.3  
(0.25)0.4  
µs  
µs  
µs  
on  
Storage Time  
t
stg  
Fall Time  
t
f
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
D1503 TS IM TA-100929 / 62501 TS IM TA-3317, 3318 No.6987-1/4  
1234

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