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2SC5784

更新时间： 2024-01-17 06:54:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
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5页 180K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

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2SC5784 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.51
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SC5784 数据手册

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2SC5784  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5784  
Industrial Applications  
Unit: mm  
High-Speed Switching Applications  
DC-DC Converter Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 400 to 1000 (I = 0.15 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= 0.12 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 45 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
40  
30  
V
V
V
V
CBO  
V
CEX  
CEO  
EBO  
V
V
20  
7
DC  
Collector current  
Pulse  
I
1.5  
C
A
I
2.5  
CP  
Base current  
I
150  
750  
500  
150  
−55 to 150  
mA  
mW  
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
t = 10 s  
P
C
Collector power  
dissipation  
(Note 1)  
DC  
TOSHIBA  
2-3S1A  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Weight: 0.01 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
stg  
Note 1: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm2)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
= 40 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
100  
100  
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 7 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= 10 mA, I = 0  
20  
400  
200  
C
B
h
h
(1)  
(2)  
V
V
= 2 V, I = 0.15 A  
1000  
FE  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 2 V, I = 0.5 A  
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
Rise time  
V
I
I
= 0.5 A, I = 10 mA  
0.12  
1.10  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= 0.5 A, I = 10 mA  
B
C
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
18  
43  
295  
45  
pF  
ob  
CB  
E
t
See Figure 1 circuit diagram.  
r
∼
−
Switching time  
V
I
12 V, R = 24 Ω  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
CC  
L
stg  
= −I = 17 mA  
t
f
B1  
B2  
1
2001-12-17  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5784(TE85L,F) TOSHIBA

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2SC5784_06 TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications
2SC5785 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5785 CJ

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 		SOT-89-3L
2SC5785(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,2A I(C),SC-62
2SC5786(NE894M03) ETC

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 		Discrete
2SC5786-FB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, THIN, UL
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 		NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

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