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2SC5782

更新时间： 2024-01-21 00:02:19

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		振荡器晶体放大器晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	39K
描述
UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

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2SC5782 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.04 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	4 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5782 数据手册

Ordering number : ENN7322

2SC5782

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

2SC5782

UHF to S Band Low-Noise Amplifier

and OSC Applications

Features

Package Dimensions

unit : mm

•

Low noise

: NF=1.3dB typ (f=2GHz).

•

High cutoff frequency : f =8.5GHz typ (V =1V).

2159

: f =12.5GHz typ (V =3V).

Low operating voltage.

High gain : S21e ²=10.5dB typ (f=2GHz).

Ultraminiature and thin flat lead package.

(1.4mm✕0.8mm✕0.6mm)

[2SC5782]

•

1.4

0.1

0.25

0.45

0.2

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SANYO : SSFP

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

CBO

CEO

EBO

°C

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Marking : NJ

100

Tstg

150

--55 to +150

This product adopts a

high-frequency process.

Please be careful when

handling it beause it is

susceptible to static

electricity.

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

22503 TS IM TA-100014 No.7322-1/7

12 3 4 5 6 7

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与2SC5782相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5783	SANYO	获取价格	2SC5783
2SC5784	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5784(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR NPN 20V 1.5A TSM
2SC5784_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications
2SC5785	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5785	CJ	获取价格	SOT-89-3L
2SC5785(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,2A I(C),SC-62
2SC5786(NE894M03)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5786-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, THIN, UL
2SC5786-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, THIN, UL

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