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2SC5651-T1EB

更新时间: 2024-02-13 08:49:34
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体管
页数 文件大小 规格书
24页 95K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

2SC5651-T1EB 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:0.8 pF
集电极-发射极最大电压:6 V配置:SINGLE
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CBCC-N3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4500 MHz
Base Number Matches:1

2SC5651-T1EB 数据手册

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2SC5651  
GAIN BANDWIDTH PRODUCT  
vs. COLLECTOR CURRENT  
GAIN BANDWIDTH PRODUCT  
vs. COLLECTOR CURRENT  
12  
10  
8
12  
10  
8
V
CE = 1 V  
VCE = 2 V  
f = 2 GHz  
f = 2 GHz  
6
6
4
4
2
2
0
0
1
10  
100  
1
10  
100  
Collector Current I  
C
(mA)  
Collector Current I (mA)  
C
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY  
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY  
25  
25  
V
CE = 1 V  
VCE = 2 V  
I
C
= 3 mA  
IC = 3 mA  
20  
15  
10  
20  
15  
10  
5
0
5
0
0.1  
1
10  
0.1  
1
10  
Frequency f (GHz)  
Frequency f (GHz)  
5
Data Sheet P15244EJ1V0DS  

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