2SC5654

更新时间： 2024-01-08 06:47:27

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松下 - PANASONIC		晶体转换器小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For DC-DC converter)

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2SC5654 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5654 数据手册

Transistors

2SC5654

Silicon NPN epitaxial planer type

Unit: mm

+±.1±

–±.±5

For DC-DC converter

+±.1

–±.±

±.15

±.3

Complementary to 2SA2028

I Features

• Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

S-mini type package, allowing downsizing and thinning of the

•

(±.65) (±.65)

equipment and automatic insertion through the tape packing

1.3±±.1

2.±±±.2

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1±˚

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

1: Base

2: Emitter

3: Collector

S Mini Type Package (3-pin)

I_C

150

Marking Symbol: 2S

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

°C

T_j

150

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

V_CE= 2 V, I_C= 100 mA

I_C= 200 mA, I_B= 10 mA

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

160

560

100

V_CE(sat)

C_ob

f_T

180

MHz

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