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2SC5658-Q-TP-HF PDF预览

2SC5658-Q-TP-HF

更新时间： 2024-02-19 02:59:58
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 600K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC5658-Q-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

2SC5658-Q-TP-HF 数据手册

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M C C  
R
Micro Commercial Components  
2SC5658-Q  
2SC5658-R  
2SC5658-S  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
•
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Complement to 2SA2029  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN  
General Purpose  
Transistors  
·
·
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
50  
60  
7
150  
Unit  
V
V
SOT-723  
V
E
mA  
mW  
R
PC  
TJ  
100  
-55 to +150  
C
3
Operating Junction Temperature  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
B
C
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
2
1
E
B
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
F
D
50  
---  
---  
Vdc  
A
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=50uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0Vdc)  
Emitter Cutoff Current  
60  
7
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
G
J
H
---  
---  
120  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
560  
0.4  
---  
IAdc  
IAdc  
---  
IEBO  
---  
(VEB=7Vdc, IC=0Vdc)  
DC Current Gain  
hFE  
---  
(IC=1mAdc, VCE=6Vdc)  
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
Transition Frequency  
(VCE=12Vdc, IC=2mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
DIM  
A
MAX  
.049  
.049  
MAX  
NOTE  
---  
Vdc  
. 045  
. 045  
1.15  
1.15  
1.25  
1.25  
0.85  
B
C
fT  
180  
---  
MHz  
pF  
. 0 30  
.033  
.031TYP.  
.015  
0.75  
D
0.80TYP.  
Cob  
3.5  
0.27  
E
F
G
H
J
.011  
.007  
0.37  
0.27  
(VCB=12Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
.011  
.002  
.020  
.006  
0.17  
.000  
0.43  
.080  
.000  
.017  
.003  
.050  
0.50  
.150  
Classification OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
Q
120-270  
BQ  
R
S
180-390  
BR  
270-560  
BS  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2016/02/18  
1234

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