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2SC5414E

更新时间: 2024-01-16 06:04:33
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三洋 - SANYO 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 49K
描述
BJT

2SC5414E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.84其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:1.5 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):6700 MHzBase Number Matches:1

2SC5414E 数据手册

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2SC5414  
I
-
V
I - V  
C BE  
C
CE  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
80  
60  
40  
VCE=5V  
2V  
20  
0
IB=0  
0
2
4
6
8
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-to-Emitter Voltage, V  
CE  
– V  
Base-to-Emitter Voltage, V  
BE  
– V  
h
FE  
-
I
C
f
-
I
C
T
7
5
10  
VCE=5V  
2V  
7
3
2
5
VCE=5V  
2V  
100  
3
2
7
5
3
2
10  
1.0  
1.0  
3
2
3
2
3
2
3
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
5
7
5
7
10  
100  
1.0  
10  
100  
Collector Current, I – mA  
Collector Current, I – mA  
C
C
Cre  
- V  
CB  
Cob  
- V  
CB  
10  
10  
f=1MHz  
f =1MHz  
7
5
7
5
3
2
3
2
1.0  
1.0  
7
5
7
5
3
2
3
2
0.1  
7
0.1  
2
3
2
3
2
3
5
7
5
7
10  
2
3
2
3
2
3
7
5
7
5
7
10  
0.1  
1.0  
0.1  
1.0  
Collector-to-Base Voltage, V  
-- V  
Collector-to-Base Voltage, V  
-- V  
CB  
CB  
2
S21e  
-- I  
C
NF  
- I  
C
10  
8
12  
10  
8
f =1GHz  
f=1GHz  
VCE=5V  
2V  
6
4
6
VCE=2V  
4
5V  
2
0
2
0
2
3
2
3
2
3
2
3
7
5
7
5
7
7
5
7
5
7
100  
1.0  
10  
100  
1.0  
Collector Current, I – mA  
Collector Curre1n0t, I – mA  
C
C
No.5910–2/6  

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