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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 基于收集器的最大容量： | 2 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4700 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5347A | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifier Applications |
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| 2SC5347AD | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-89 |
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| 2SC5347AE | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-89 |
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| 2SC5347AE-TD-E | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifi er Applications |
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| 2SC5347AE-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
射频晶体管，NPN 单 PCP，12 V，150 mA，fT = 4.7 GHz |
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| 2SC5347AF-TD-E | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifi er Applications |
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| 2SC5347AF-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
射频晶体管，NPN 单 PCP，12 V，150 mA，fT = 4.7 GHz |
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| 2SC535 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC535 | CDIL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC535 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar |
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