Datasheet > 2SC5305

2SC5305

更新时间： 2024-01-08 03:58:02

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	95K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5305 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220FI
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC5305 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5305

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage

:V_(BR)CBO= 1200V (Min)

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Designed for inverter lighting applications.

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1200

600

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

下载PDF

与2SC5305相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5305(TO-220)	UTC	Transistor	获取价格
2SC5305(TO-220F)	UTC	Transistor	获取价格
2SC5305_2	UTC	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED POWER SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
2SC5305L(TO-220)	UTC	Transistor	获取价格
2SC5305L(TO-220F)	UTC	Transistor	获取价格
2SC5305LS	SANYO	Inverter Lighting Applications	获取价格