5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5307 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SC5307(TE12L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR NPN 400V 0.05A SC-62 |
|
| 2SC5309 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
|
| 2SC5310 | SANYO |
获取价格 |
DC/DC Converter Applications |
|
| 2SC5310 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
|
| 2SC5310 | TYSEMI |
获取价格 |
Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. |
|
| 2SC5310-5 | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346 |
|
| 2SC5310-6 | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346 |
|
| 2SC5315 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC5316 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
