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2SC5305(TO-220F)

更新时间： 2024-02-23 06:19:25

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Transistor

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2SC5305(TO-220F) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SC5305(TO-220F) 数据手册

UTC 2SC5305

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE HIGH SPEED POWER

SWITCHING TRANSISTOR

FEATURES

* High hFE for Low base drive requirement

* Suitable for half bridge light ballast Applications

* Built-in Free-wheeling Diode makes it specially

suitable for light ballast Applications

* Well controlled storage-time spread for all range of hFE

TO-220F

1: Base 2: Collector 3: Emitter

*Pb-free plating product number: 2SC5305L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_C=25℃, unless otherwise noted.)

PARAMETER

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)*

Base Current (DC)

Base Current (Pulse)*

Power Dissipation (T_C=25℃)

Junction Temperature

Storage Temperature

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATINGS

UNIT

800

400

150

I_CP

I_B

I_BP

P_C

Tstg

℃

-65 ~ 150

THERMAL CHARACTERISTICS

(T_C=25℃, unless otherwise noted.)

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

UNIT

Thermal Resistance

℃/W

Junction to Case

Junction to Ambient

RθJC

RθJA

1.65

62.5

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

www.unisonic.com.tw

QW-R219-003,A

12 3 4

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