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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | S BAND | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 11000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5275-3 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SC5275-4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SC5275-5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SC5276 | SANYO |
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UHF to S Band Low-Noise Amp, OSC Applications |
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| 2SC5277 | SANYO |
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UHF to S Band Low-Noise Amp, OSC Applications |
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| 2SC5277A | SANYO |
获取价格 |
UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications |
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| 2SC5277A_12 | SANYO |
获取价格 |
UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications |
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| 2SC5277A-2-TL-E | ONSEMI |
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射频晶体管，10V，30mA，fT = 8GHz，NPN 单 SMCP |
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| 2SC5277D1 | ETC |
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BJT |
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| 2SC5277D2 | ETC |
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BJT |
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