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2SC5287_01

更新时间： 2024-11-24 12:50:11
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

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2SC5287_01 数据手册

  
2 S C5 2 8 7  
(Ta=25°C)  
Absolute maximum ratings  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■
Symbol  
Ratings  
900  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB=800V  
Ratings  
100max  
100max  
550min  
10 to 25  
0.5max  
1.2max  
6typ  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
V
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
±0.1  
2.0  
9.6  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
IEBO  
VEB=7V  
550  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
7
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=1.8A  
IC=1.8A, IB=0.36A  
IC=1.8A, IB=0.36A  
VCE=12V, IE=–0.35A  
VCB=10V, f=1MHz  
5(Pulse10)  
2.5  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
2
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
Tj  
MHz  
pF  
3
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
COB  
50typ  
Tstg  
–55 to +150  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
250  
139  
1.8  
10  
–5  
0.27  
–0.9  
0.7max  
4.0max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
5
7
1.5  
IC/IB=5 Const.  
6
5
4
3
2
4
3
1.0  
VBE(sat)  
2
1
0
0.5  
IB=50mA  
1
0
VCE(sat)  
0
0
1
2
3
4
0.03 0.05  
0.1  
0.5  
1
5 7  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
6
5
3
1
40  
125˚C  
25˚C  
tstg  
VCC 250V  
IC:IB1:IB2=1:0.15:–0.5  
–55˚C  
1
tf  
10  
0.5  
0.5  
0.3  
ton  
5
4
0.1  
0.2  
1
10  
100  
1000  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0.5  
1
5
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
80  
20  
10  
5
10  
5
60  
40  
1
1
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
IB2=–1.0A  
L=3mH  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
0.1  
0.05  
0.03  
0.05  
0.03  
Without Heatsink  
3.5  
0
50  
100  
500  
1000  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
134  
1

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