生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.03 A |
基于收集器的最大容量: | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压: | 10 V |
配置: | SINGLE | 最高频带: | S BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 11000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC5277A | SANYO |
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UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications | |
2SC5277A_12 | SANYO |
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UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications | |
2SC5277A-2-TL-E | ONSEMI |
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射频晶体管,10V,30mA,fT = 8GHz,NPN 单 SMCP | |
2SC5277D1 | ETC |
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BJT | |
2SC5277D2 | ETC |
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BJT | |
2SC5277D3 | ETC |
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BJT | |
2SC5279 | TOSHIBA |
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TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE | |
2SC5280 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR MEDIUM RESOLUTION DISPLAY, | |
2SC5280 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5280 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |