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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5287
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2SC5287

更新时间： 2024-09-12 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC5287 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.42
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：550 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzBase Number Matches：1

2SC5287 数据手册

  
2 S C5 2 8 7  
(Ta=25°C)  
Absolute maximum ratings  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■
2SC5287  
900  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB=800V  
2SC5287  
Symbol  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
V
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
±0.1  
2.0  
9.6  
100max  
100max  
550min  
10 to 25  
0.5max  
1.2max  
6typ  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
IEBO  
VEB=7V  
550  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
7
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=1.8A  
IC=1.8A, IB=0.36A  
IC=1.8A, IB=0.36A  
VCE=12V, IE=–0.35A  
VCB=10V, f=1MHz  
5(Pulse10)  
2.5  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
2
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
Tj  
MHz  
pF  
3
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
COB  
50typ  
Tstg  
–55 to +150  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
250  
139  
1.8  
10  
–5  
0.27  
–0.9  
0.7max  
4.0max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
5
7
1.5  
IC/IB=5 Const.  
6
5
4
3
2
4
3
1.0  
VBE(sat)  
2
1
0
0.5  
IB=50mA  
1
0
VCE(sat)  
0
0
1
2
3
4
0.03 0.05  
0.1  
0.5  
1
5 7  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
6
5
3
1
40  
125˚C  
25˚C  
tstg  
VCC 250V  
IC:IB1:IB2=1:0.15:–0.5  
–55˚C  
1
tf  
10  
0.5  
0.5  
0.3  
ton  
5
4
0.1  
0.2  
1
10  
100  
1000  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0.5  
1
5
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
80  
20  
10  
5
10  
5
60  
40  
1
1
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
IB2=–1.0A  
L=3mH  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
0.1  
0.05  
0.03  
0.05  
0.03  
Without Heatsink  
3.5  
0
50  
100  
500  
1000  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
133  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5287_01 SANKEN

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