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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5196_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications |
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| 2SC5196O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SC5196-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC5196R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SC5196-R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC5197 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC5197 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC5197 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC5197_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications |
|
| 2SC5197O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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