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2SC5197R

更新时间： 2024-11-23 20:30:31

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无锡固电 - ISC		/
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3页	284K
描述
Transistor

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2SC5197R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC5197R 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5197

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Min) @I_C= 6A

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SA1940

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 55W high fidelity audio frequency

amplifier output stage applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.8

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC5198	TOSHIBA	获取价格
2SC5198	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC5198	ISC	获取价格	3isc Silicon NPN Power Transistor
2SC5198	FOSHAN	获取价格	TO-3P
2SC5198_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
2SC5198O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-247VAR
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