5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5198 | TOSHIBA |
获取价格 |
|
|
| 2SC5198 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5198 | ISC |
获取价格 |
3isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC5198 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-3P |
|
| 2SC5198_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications |
|
| 2SC5198O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SC5198-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
|
| 2SC5198O(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,10A I(C),TO-247VAR |
|
| 2SC5198-O(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC5198O105 | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
