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2SC5106-YTE85R

更新时间： 2024-11-20 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 329K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

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2SC5106-YTE85R 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：6000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5106-YTE85R 数据手册

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2SC5106  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type  
2SC5106  
For VCO Application  
Unit: mm  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
20  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Base current  
10  
3
15  
V
I
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
B
C
Collector current  
I
30  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
T
j
125  
T
stg  
−55 to 125  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
SC-59  
2-3F1A  
TOSHIBA  
Weight: 0.012 g (typ.)  
1
2010-01-26  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5107 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION)
2SC5107O ETC

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2SC5107-O TOSHIBA

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2SC5107O(TE85L,F) TOSHIBA

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2SC5107Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-70
2SC5107-Y TOSHIBA

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 		暂无描述
2SC5107-YTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC5108 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATIONS)

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