2SC5103/PQ

更新时间： 2024-11-24 13:04:19

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罗姆 - ROHM		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SC5103/PQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC5103/PQ 数据手册

2SC5103

Transistors

High speed switching transistor (60V, 5A)

2SC5103

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) Low V^CE(sat)(Typ. 0.15V at I^C/ I^B= 3 / 0.15A)

2) High speed switching (tf : Typ. 0.1 µs at I^C= 3A)

3) Wide SOA. (safe operating area)

4) Complements the 2SA1952.

5.5

0.9

1.5

C0.5

0.8Min.

(1) Base(Gate)

1.5

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

2.5

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

9.5

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

100

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

A(DC)

A(Pulse)

W(Tc=25°C)

°C

Collector current

∗

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Single pulse Pw=100ms

Tstg

150

−55~+150

°C

∗

!Packaging specifications and h^FE

Type

Package

hFE

Code

Basic ordering unit (pieces)

2SC5103

CPT3

2500

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Typ.

Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Parameter

−

0.15

−

120

−

0.1

−

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BV^CEO

BVEBO

µA

−

MHz

µs

50µA

1mA

50µA

100

−

0.3

0.5

1.2

1.5

270

−

CBO

100V

EBO

Emitter cutoff current

3A/0.15A

4A/0.2A

3A/0.15A

4A/0.2A

∗

CE(sat)

BE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

hFE

DC current transfer ratio

Transition frequency

Output capacitance

Turn-on time

Storage time

Fall time

CE/IC = 2V/1A

10V , I

0.5A , f

0A , f

= 30MHz

1MHz

Cob

stg

−

∗

0.3

1.5

0.3

3A , R

−IB2

CC 30V

10Ω

= 0.15A

−

∗

Measured using pulse current.

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