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2SC5103F5P

更新时间: 2024-01-26 19:18:46
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 250K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252

2SC5103F5P 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.69
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHz最大关闭时间(toff):1800 ns
最大开启时间(吨):300 nsVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SC5103F5P 数据手册

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