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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SC5103TLQ
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2SC5103TLQ

更新时间： 2024-01-16 09:23:54
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
High speed switching transistor (60V, 5A)

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2SC5103TLQ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.69
Base Number Matches：1

2SC5103TLQ 数据手册

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High speed switching transistor (60V, 5A)  
2SC5103  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low VCE(sat) (Typ. 0.15V at IC / IB = 3 / 0.15A)  
2) High speed switching (tf : Typ. 0.1 s at IC = 3A)  
3) Wide SOA. (safe operating area)  
4) Complements the 2SA1952.  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
0.8Min.  
1.5  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
2.5  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
100  
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
5
5
10  
1
10  
V
A(DC)  
A(Pulse)  
W
W(Tc=25°C)  
°C  
Collector current  
IC  
∗
Collector power  
dissipation  
PC  
Junction temperature  
Storage temperature  
Single pulse Pw=100ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
∗
Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
2SC5103  
CPT3  
Q
TL  
2500  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Typ.  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Parameter  
−
−
−
−
−
0.15  
−
−
−
−
−
−
−
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
V
V
V
μA  
μA  
V
V
V
V
−
I
I
I
V
V
C
C
E
=
=
=
50μA  
1mA  
50μA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
100  
60  
5
−
−
−
−
−
−
120  
40  
−
−
−
10  
10  
0.3  
0.5  
1.2  
1.5  
270  
−
−
−
0.3  
1.5  
0.3  
I
CBO  
CB  
=
=
100V  
5V  
I
EBO  
Emitter cutoff current  
EB  
I
I
I
I
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
=
3A/0.15A  
4A/0.2A  
3A/0.15A  
4A/0.2A  
∗
∗
∗
∗
V
CE(sat)  
BE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
C
C
C
B
B
B
=
=
=
V
V
V
V
V
CE/I  
C
=
=
2V/1A  
2V/3A  
hFE  
−
−
MHz  
CE/I  
C
f
T
120  
80  
−
−
0.1  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
CB  
CE  
=
10V , I  
E
= −0.5A , f  
0A , f 1MHz  
10Ω  
0.15A  
= 30MHz  
Cob  
on  
stg  
pF  
μs  
μs  
μs  
=
10V , I  
E
=
=
∗
t
I
I
C
= 3A , RL =  
=
t
−
−
B1  
−IB2  
=
t
f
V
CC 30V  
∗
Measured using pulse current.  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.A  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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2SC5103TLQ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5103TLP ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-63, 3

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5103TR/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5103TR/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5103TR/Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5104 PANASONIC

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 		Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5105 ETC

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2SC5106 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION)
2SC5106O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236AB
2SC5106-OTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
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