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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5103TL/Q
2SC5103TL/Q PDF预览

2SC5103TL/Q

更新时间： 2024-11-20 13:01:59
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
5000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN

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2SC5103TL/Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.31
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHz最大关闭时间（toff）：1800 ns
最大开启时间（吨）：300 nsVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SC5103TL/Q 数据手册

 浏览型号2SC5103TL/Q的Datasheet PDF文件第2页 
2SC5103  
Transistors  
High speed switching transistor (60V, 5A)  
2SC5103  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Low VCE(sat) (Typ. 0.15V at IC / IB = 3 / 0.15A)  
2) High speed switching (tf : Typ. 0.1 µs at IC = 3A)  
3) Wide SOA. (safe operating area)  
4) Complements the 2SA1952.  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
0.8Min.  
(1) Base(Gate)  
1.5  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
2.5  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
100  
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
5
V
A(DC)  
A(Pulse)  
W
W(Tc=25°C)  
°C  
5
10  
Collector current  
IC  
∗
1
10  
Collector power  
dissipation  
P
C
Junction temperature  
Storage temperature  
Single pulse Pw=100ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55~+150  
°C  
∗
!Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
2SC5103  
CPT3  
PQ  
TL  
2500  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Typ.  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Parameter  
−
−
−
−
−
0.15  
−
−
−
−
120  
80  
−
−
0.1  
−
−
−
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
V
V
V
µA  
µA  
V
V
V
V
−
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
I
I
I
V
V
I
I
I
I
V
V
V
I
I
V
C
C
E
=
=
=
50µA  
1mA  
50µA  
100  
60  
5
−
−
−
−
−
−
82  
−
−
−
−
10  
10  
0.3  
0.5  
1.2  
1.5  
270  
−
I
CBO  
CB  
=
=
100V  
5V  
I
EBO  
Emitter cutoff current  
EB  
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
=
3A/0.15A  
4A/0.2A  
3A/0.15A  
4A/0.2A  
∗
∗
∗
∗
V
CE(sat)  
BE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
C
C
C
B
B
B
=
=
=
V
hFE  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
CE/IC = 2V/1A  
CB  
f
T
=
=
10V , I  
10V , I  
E
=
=
0.5A , f  
0A , f  
= 30MHz  
1MHz  
Cob  
on  
stg  
−
CE  
E
=
∗
t
0.3  
1.5  
0.3  
C
=
=
3A , R  
−IB2  
CC 30V  
L
=
10Ω  
t
B1  
= 0.15A  
t
f
−
∗
Measured using pulse current.  
12

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与2SC5103TL/Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5103TLP ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-63, 3
2SC5103TLQ ROHM

获取价格

 		High speed switching transistor (60V, 5A)
2SC5103TR/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5103TR/PQ ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5103TR/Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5104 PANASONIC

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 		Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5105 ETC

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2SC5106 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION)
2SC5106O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236AB
2SC5106-OTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

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